Tenor

BUNDESPATENTGERICHT

23 W (pat) 36/05 Verkündet am 27. November 2007 (Aktenzeichen) …

BESCHLUSS

In der Beschwerdesache

…

betreffend die Patentanmeldung 199 38 480.0-33

hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf die mündliche Verhandlung vom 27. November 2007 unter Mitwirkung des Vorsitzenden Richters Dr. Tauchert sowie der Richter Lokys, Schramm und Maile

BPatG 154 08.05 beschlossen:

Auf die Beschwerde wird der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 2. Dezember 2004 aufgehoben und das Patent mit folgenden Unterlagen erteilt:

Patentansprüche 1 bis 3, Beschreibung, Seiten 1 bis 7, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 27. November 2007, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 3.

Anmeldetag: 13. August 1999

B e z e i c h n u n g : Photonische Halbleitervorrichtung

Gründe

I

Die Patentanmeldung der Anmelderin wurde am 13. August 1999 unter Inanspruchnahme einer japanischen Priorität vom 17. August 1998 (Az.: JP 10-230599) mit der Bezeichnung "Photonische Halbleitervorrichtung" beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht. Im Prüfungsverfahren wurden als Stand der Technik folgende Druckschriften ermittelt:

1) EP 0 607 435 A1, 2) JP 10 - 173 228 A mit zugehörigem Abstract, 3) DE 196 48 955 A1 und 4) JP 10 - 186 423 A mit zugehörigem Abstract.

Mit Beschluss vom 2. Dezember 2004 hat die Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts die Anmeldung zurückgewiesen, weil der Gegenstand des geltenden Patentanspruchs 1 vom 28. Februar 2001 gegenüber der Lehre nach Entgegenhaltung 1) nicht auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fachmanns beruhe, da dieser eine niedrigindizierte Ebene des Quarzsubstrats bevorzuge, vgl. die Beschlussbegründung, insbesondere den die Seiten 3 und 4 überbrückenden Abs.

Hiergegen richtet sich die Beschwerde der Anmelderin vom 16. Februar 2005.

In der mündlichen Verhandlung vom 27. November 2007 verteidigt die Anmelderin ihre Anmeldung mit

Patentansprüchen 1 bis 3, Beschreibung, Seiten 1 bis 7, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 27. November 2007, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 3. Sie beantragt,

den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 L des Deutschen Patent- und Markenamts vom 2. Dezember 2004 aufzuheben und das Patent mit folgenden Unterlagen zu erteilen:

Patentansprüche 1 bis 3, Beschreibung, Seiten 1 bis 7, überreicht in der mündlichen Verhandlung vom 27. November 2007, ursprüngliche Zeichnung, Figuren 1 bis 3.

Der geltende Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut:

"Photonische Halbleitervorrichtung, umfassend: ein Z-geschnittenes Quarzsubstrat; und eine Verbindungs-Halbleiterschicht, angeben durch InxGayAlzN (worin x + y + z = 1 und 0 0,3 = 30 %

ist (vgl. geltende Beschreibung Seite 5, Zeilen 4 bis 14).

Aber auch die übrigen Entgegenhaltungen vermögen nicht, den Fachmann dazu anzuregen, hexagonale III-V-Verbindungs-Halbleiterschichten aus InxGayAlzN auf der Z-Ebene von Quarzsubstraten abzuscheiden, wie der Patentanspruch 1 der vorliegenden Anmeldung lehrt. Die Entgegenhaltung 2) offenbart die Lehre, auf einem spiegelpolierten Quarzsubstrat (quartz substrate 101 with the mirror-finished surface) eine hexagonale kristalline Pufferschicht ausgerichtet in der C-Achse (hexagonal crystal buffer layer 102 oriented in the C-axis / nach der Computerübersetzung handelt es sich hier um ZnO) und weitere einkristalline III-V-Verbindungs-Halbleiter, wie Ga1-xAlxN und InyGa1-y-zAlzN, abzuscheiden.

Eine Anregung, Z-geschnittene Quarzsubstrate für die Abscheidung III-V-Verbindungs-Halbleiter, wie InxGayAlzN, zu verwenden, enthält die Entgegenhaltung 2) nicht.

Die Entgegenhaltung 3) befasst sich mit III-V-Verbindungs-Halbleitern auf diversen Substraten, wobei Quarz als mögliches Substratmaterial noch nicht einmal erwähnt wird, vgl. dort Spalte 9, Zeilen 24 bis 37.

Schließlich betrifft die Entgegenhaltung 4) einen akustisch-optisches Ablenkungselement (acousto-optic deflection element 1), das auf einem nahe Z-geschnittenen Quarzsubstrat (quartz crystal substrate 2 near Z-cut) einen piezoelektrischen dünne Schicht aus ZnO aufweist (piezoelectric thin film 3 consisting of ZnO).

Nachdem in dieser Entgegenhaltung auf die Piezoeigenschaften von ZnO zur Erzeugung von Oberflächenwellen abgestellt wird, vermag diese Entgegenhaltung den Fachmann nicht dazu anregen, auch III-V-Verbindungs-Halbleiterschichten aus InxGayAlzN auf Z-geschnittenen Quarzsubstraten abzuscheiden, ohne rückschauend tätig zu werden.

Damit beruht die photonische Halbleitervorrichtung gemäß Patentanspruch 1 auf einer erfinderischen Tätigkeit des zuständigen Fachmanns.

4) Die Patentansprüche 2 und 3 betreffen vorteilhafte, nicht selbstverständliche Ausgestaltungen der Lehre des Patentanspruchs 1. Deren Patentfähigkeit wird von derjenigen nach Patentanspruch 1 mitgetragen.

5) Die geltende Beschreibung erfüllt die an sie zu stellende Anforderungen, weil darin der Stand der Technik angegeben ist, von dem die Erfindung ausgeht, und die Erfindung anhand der ursprünglichen Figuren 1 bis 3 hinreichend erläutert ist.

6) Demnach musste der angefochtene Beschluss aufgehoben und das Patent erteilt werden.

Dr. Tauchert Lokys Schramm Maile

Be